高端硅基SOI材料研发和产业化

由中国科学院上海微系统与信息技术研究所等单位完成

    绝缘体上硅(SOI)技术具有抗辐射独特优越性，被国际上公认为"二十一世纪的硅集成电路技术"。该项目历经二十余年的努力，系统解决了SOI材料制备的氧离子注入,高温退火等一系列关键技术,在超低剂量SOI材料技术上有所创新,并建立了SIMBOND SOI材料技术，形成了自主核心,成功实现了4-6英寸SOI材料的产业化问题。
    该项目的主要技术创新是：
    1、突破离子注入、表面清洗、高温退火、质量表征等特殊的SOI关键技术，成功实现SOI材料产业化。
    2、突破了超低剂量氧离子注入结合创新的高温退火等制备SOI的关键技术，在国际上独创了将键合和SIMOX技术相结合的注氧键合（Simbond）SOI新技术。 
    3、独创了以AlN等为绝缘埋层的SOI新材料，为新型SOI材料在亚50纳米器件的应用提供了关键技术基础。 
    4、首创了在赝晶SiGe上直接采用改进的SOI工艺和通过特殊的表面氧化工艺两种技术成功制备了绝缘层上的SiGe（SiGeOI）新材料，为实现应变硅结构提供了优良衬底材料。 
    5、创造性的对常规SOI材料进行改性，使SOI的抗总剂量辐射水平取得突破。 
    6、探索了超高剂量离子注入引起的离子淀积分布、材料膨胀等特殊效应，创新研究结果为注氧隔离SOI技术奠定了理论基础；在国际上首创SOI材料吸杂新技术，利用离子注入将纳米孔引入到SOI材料，成功解决SOI材料吸杂难题。
    该项目拥有SOI核心自主知识产权，并形成我国首部SOI技术企业标准。打破了国外的技术封锁，建成年产值超过亿元的工业化生产线，生产的SOI材料系列产品性能指标达到或优于国际SEMI标准，产品被英特尔、飞利浦等国际顶级半导体公司所采用，具有明显的国际市场竞争优势，在短时间内跻身国际高端硅基材料市场，实现了我国微电子材料的跨跃式发展。