亚30纳米CMOS器件相关的若干关键工艺技术研究

由中国科学院微电子研究所徐秋霞等完成

    该项目属半导体器件技术领域。亚30纳米CMOS器件研制是国际上正在开展的前沿性探索研究。该项目在国内率先深入、系统地开展了亚30纳米CMOS器件及关键工艺技术研究，自主研究开发了8项新颖的具有实用价值的工艺模块，为今后开发生产工艺奠定了基础。在上述关键工艺取得突破的基础上，在国内首次研制成功了高性能栅长27纳米CMOS器件及栅长36纳米 CMOS32分频器电路。与亚30纳米栅长CMOS器件相关的若干关键工艺技术和国际同类先进研究成果具有同步性，是拥有自主知识产权的创新成果，已获国家发明专利6项。该项目有下列创新：
1. 栅长27 纳米 CMOS器件工艺剖面结构的新设计和实现方法；
2. EOT 1.4～1.2纳米强化氮化氧化栅介质制备方法和特性研究；
3. 亚25纳米抗刻蚀掩膜图形的形成技术；
4. 31纳米超浅、高表面浓度源漏延伸区及应变技术的工艺设计和实现方法；
5. 横向限定的重离子超陡倒掺杂沟道剖面设计；
6. 20纳米高选择比及高精度多晶硅栅刻蚀新工艺；
7. Co/Ti和TiN/Ni双层膜自对准硅化物的方法；
8. 一种嵌入式W/TiN金属栅CMOS器件制作方法。
该项目为国家重大基础性研究项目及部分单位的研究提供了关键技术支持和加工服务，取得了良好的社会效益。为我国集成电路技术拥有自主知识产权做出了贡献，并为集成电路产业进一步发展、升级提供了技术基础和人才资源。