由中国科学院上海技术物理研究所褚君浩等完成

    该项目是红外光电子信息学科的科学前沿，主要研究碲镉汞半导体中的带间光吸收跃迁效应以及带内、杂质、声子光跃迁、载流子输运和碲镉汞红外焦平面材料器件研制的基本物理问题。
    该项目主要研究成果为：（1）发现了碲镉汞本征光吸收系数随组分、温度、波长的变化规律，确定了碲镉汞能带参数；（2）发现了碲镉汞中杂质光吸收跃迁和声子光吸收跃迁；（3）发现了碲镉汞中二维电子的回旋共振光吸收和自旋共振光吸收，提出子能带结构模型；（4）发现分子束外延碲镉汞薄膜材料生长中组份、掺杂均匀性、缺陷和位错密度控制的实验规律。研究结果不仅发展了窄禁带半导体物理学，而且可应用于碲镉汞材料设计、生长和表征以及器件研制，促进了我国1024×1元、2048×1元的碲镉汞线列焦平面以及64×64元、128×128元碲镉汞焦平面阵列器件的研制成功，使我国碲镉汞焦平面列阵器件的研制水平进入先进国家序列，为满足国家这方面的重大需求做出了重要贡献。
    该项目在国际学术刊物上发表SCI论文36篇, 完成《窄禁带半导体物理学》专著一部，国际会议邀请报告11篇。关于碲镉汞本征吸收光谱等14项结果，被写入了《科学技术中的数据和函数关系》作为碲镉汞研究的标准数据和表达式。论文被他引180余次。